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SAMSUNG/サムスン SSD 850 EVO ベーシックキット 250GB MZ-75E250B/ITの買取価格

メーカー:ITGマーケティング  発売日: -   製品コード:4560441091525
NANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。
買取価格 ポイント ショップ情報
200
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この製品の詳細

メーカー名:ITGマーケティング

シリーズ EVO
型番 MZ-75E250B
増設インターフェース SATA 3.0(6Gb/s) ※SATA 2.0(3Gb/s)およびSATA 1.0(1.5Gb/s)互換
容量 250GB
フォームファクタ 7mm厚2.5インチHDD互換
外形寸法(L×W×H) 100 × 69.85 × 6.8 (mm)
質量 最大66g
NANDフラッシュ Samsung 32層 3D V‐NAND
コントローラ Samsung MGX コントローラ (120GB, 250GB, 500GB)
Samsung MEX コントローラ (1TB)
キャッシュメモリ Samsung 512MB
Low Power DDR3 SDRAM
シーケンシャル 読み出し 540 MB/s
シーケンシャル 書き込み 520 MB/s
4KBランダム(QD1) 読み出し 10,000 IOPS
(≒39MB/s)
4KBランダム(QD1) 書き込み 40,000 IOPS
(≒156MB/s)
4KBランダム(QD32) 読み出し 97,000 IOPS
(≒379MB/s)
4KBランダム(QD32) 書き込み 88,000 IOPS
(≒344MB/s)
ターボライトテクノロジー
TRIMサポート ○ ※OSが対応している場合
ガベージコレクション
S.M.A.R.T(自己診断機能)
セキュリティ AES 256 bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive(IEEE1667)
WWN(World Wide Name)
Device Sleep Mode (DevSleep)
耐衝撃性 1,500G/0.5ms (Half sine)
耐振動性 (非動作時)20G(20~2000Hz)
MTBF(平均故障間隔) 150万時間
消費電力 動作時:4.4W 待機時:50mW
デバイススリープモード時:2mW(1TBのみ4mW)
温度範囲 0℃~70℃(動作時) -40℃~85℃(非動作時)
湿度範囲 5%~95%(結露なきこと)
データ移行ソフトウエア Samsung Data Migration Ver2.7 (日本語対応)
ユーティリティソフトウエア Samsung Magician Software Ver4.5 (日本語対応)
添付品 NULL
各種取得規格・法規制 VCCI、RoHS指令準拠
TBW 75
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